信号输入轴数：4 轴(可定制 2~4 轴)
测量分辨力：0.31nm@光学四细分、0.62nm@光学二细分 (波长 632.8nm)
测量范围：±2.65 m@光学二细分、±1.33 m@光学四细分 (波长 632.8nm)
输入干涉光强度范围：100 nW﹣30μW (交直流比> 80%)
输入光动态范围：30:1
测量最大加速度：10g
解决方案
视频展示
一.产品简介
OE20-VME 系列外差干涉信号处理卡集成光电探测与信号处理功能，由光纤直接输入 干涉光信号，兼顾高精度、高测量速度和高实时性，采用 VME P2 总线接口，满足超精密测 量与定位等应用场合的需求。
二.OE20-04-VME-E 型外差干涉信号处理卡技术参数
| 基本参数 | 信号输入轴数 | 4轴（可定制2~4轴） |
| 测量分辨力 | 0.31nm@光学四细分、0.62nm@光学二细分（波长632.8nm） | |
| 测量最大速度 | ±5.37m/s@光学二细分、±2.68m/s@光学四细分（波长632.8nm） | |
| 测量范围 | ±2.65 m@光学二细分、±1.33 m@光学四细分（波长632.8nm） | |
| 输入干涉光强度范围 | 100 nW- 30 nW （交直流比＞80%） | |
| 输入光动态范围 | 30:01:00 | |
| 最大数据更新率 | 10MHz | |
| 测量最大加速度 | 10g | |
| 精度特性 | 高光强输入： W1 LSB @ 0 MHz频差 | |
| 2^W @ 90%交直流比： W1.2 LSB @ 16 MHz 频差 | ||
| 低光强输入： W4 LSB @ 0 MHz频差 | ||
| 100nW @ 90%交直流比： W6 LSB @ 16 MHz 频差 | ||
| 功耗及接口特性 | 板卡尺寸 | 标准VME 6U板卡 |
| 信号输入接口 | ST光纤接口 | |
| 工作环境 | 温度 | 可工作范围0℃-40℃ |
规格价格如有变更，恕不另行通知。版权所有，包括以任何形式复制整个或部分文件的权利。
